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岡安 悟; 数又 幸生*
Czechoslovak Journal of Physics, 46(SUPPL.S3), p.1645 - 1646, 1996/00
OMG法で作製した酸化物超伝導体YBCOに16MeVのプロトンを照射し、磁束のピンニング特性の改善について調べた。磁化の長時間緩和の測定から磁束の活性化エネルギーを求めたところ、U(J/Jc)[1-(T/Tx)]・Hの形で表わされることがわかった。照射量に対する変化は510ions/cmまでは活性化エネルギー及び臨界電流密度は増大し、ピン止め特性は改善されるが、110まで照射すると、それらの変化は小さくなる。また活性化エネルギーの温度依存関数が、Jのべきから指数関数的に変化することを見い出した。